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EUV 需求旺盛,半導體設備廠獲益良多

2019-11-08 09:12 與非網
關鍵詞:EUV半導體設備

導讀:11月 7 日訊,據中央社報道,臺積電、英特爾和三星為打造體積更小、性能更強的處理器,紛紛投入極紫外光(EUV)技術,相關設備花費不菲,導致 3 家廠商資本支出直線攀升,ASML 等半導體設備廠則獲益良多。

極紫外光刻(英語:Extremeultravioletlithography,也稱 EUV 或 EUVL)是一種使用極紫外(EUV)波長的下一代光刻技術,其波長為 13.5 納米,預計將于 2020 年得到廣泛應用。幾乎所有的光學材料對 13.5nm 波長的極紫外光都有很強的吸收,因此,EUV 光刻機的光學系統只有使用反光鏡。

與常用光源相比,采用 EUV 的系統能讓芯片電路更加微縮,但其相應的制造成本也跟著水漲船高。主要由于 EUV 光刻設備價格高昂。

ASML 稱,第 3 季光售出 7 套 EUV 系統就進帳 7.43 億歐元,等于每套系統要價超過 1 億歐元。這還不包括半導體制程控管與測試設備成本。因此,晶圓代工龍頭廠商資本支出大增成為趨勢。

臺積電 10 月召開業績發布會時宣布今年資本支出達 140 億至 150 億美元,高于原先設定目標近 40%,創下臺積電單年資本支出最高紀錄。英特爾隨后宣布加碼 3%,今年資本支出目標達 160 億美元,創公司成立以來最高紀錄,比兩年前高出 36%。

三星也在上周宣布,今年半導體事業資本支出約 200 億美元。三星公布的金額略少于去年,但業內分析師表示,三星今年大幅減少投資存儲器生產,是為了將更多的資源投入下一代晶圓代工廠。

另一個晶圓制造大廠,也就是英特爾,其 10nm 的晶體管密度基本已經達到臺積電 / 三星的 7nm EUV 水平,而其使用的制程僅僅只是和臺積電類似的多重顯影 DUV 技術,而其未來的 7nm 才會真正引入 EUV 技術,借以實現更高的晶體管密度,但根據市場預測,英特爾的 7nm 技術能實現的晶體管密度可能和三星的 5nm 大同小異,而同樣會落后于臺積電的 5nm。

晶圓代工廠資本支出大增的同時,意味著半導體設備廠將獲益良多。ASML 表示,第 3 季單季接 23 套 EUV 系統訂單,創單季訂單金額最高記錄;半導體制程控管設備制造商科磊上周公布,會計年度第 1 季營收年增率達 29%,并表示 EUV 投資是業績增長的主要因素。

據悉,明年 EUV 需求預料更加旺盛,半導體設備廠前景向好。


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