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EUV 需求旺盛,半导体设备厂获益良多

2019-11-08 09:12 与非网
关键词:EUV半导体设备

导读:11月 7 日讯,据中央社报道,台积电、英特尔和三星为打造体积更小、性能更强的处理器,纷纷投入极紫外光(EUV)技术,相关设备花费不菲,导致 3 家厂商资本支出直线攀升,ASML 等半导体设备厂则获益良多。

极紫外光刻(英语:Extremeultravioletlithography,也称 EUV 或 EUVL)是一种使用极紫外(EUV)波长的下一代光刻技术,其波长为 13.5 纳米,预?#24179;?#20110; 2020 年得到广泛应用。几乎所有的光学?#29287;?#23545; 13.5nm 波长的极紫外光都有很强的吸收,因此,EUV 光刻机的光学系统只有使用反光镜。

与常用光源相比,采用 EUV 的系统能让芯片电路更加微缩,但其相应的制造成本也跟着水涨船高。主要由于 EUV 光刻设备价格高昂。

ASML 称,第 3 季光售出 7 套 EUV 系统就进帐 7.43 亿欧元,等于?#21051;紫?#32479;要价超过 1 亿欧元。这还不包括半导体制程控管与测试设备成本。因此,晶圆代工龙头厂商资本支出大增成为趋势。

台积电 10 月召开?#23548;?#21457;布会时宣布今年资本支出达 140 亿至 150 亿美元,高于原先设定目标近 40%,创下台积电单年资本支出最高纪录。英特尔随后宣?#25216;?#30721; 3%,今年资本支出目标达 160 亿美元,创公司成立以来最高纪录,比两年?#26696;?#20986; 36%。

三星也在上周宣布,今年半导体事业资本支出约 200 亿美元。三星公布的金额略少于去年,但?#30340;?#20998;析师表示,三星今年大幅减少投资存储器生产,是为了将更多的资源投入下一代晶圆代工厂。

另一个晶圆制造大厂,也就是英特尔,其 10nm 的晶体管密度基本已经达到台积电 / 三星的 7nm EUV 水平,而其使用的制程仅仅只是和台积电类似的多重显影 DUV 技术,而其未来的 7nm 才会真正引入 EUV 技术,借以实现更高的晶体管密度,但根据市场预测,英特尔的 7nm 技术能实现的晶体管密度可能和三星的 5nm 大同小异,而同样会落后于台积电的 5nm。

晶圆代工厂资本支出大增的同时,意味着半导体设备厂将获益良多。ASML 表示,第 3 ?#38236;?#23395;接 23 套 EUV 系统订单,创单季订单金额最高记录;半导体制程控管设备制造商科磊上周公布,会计年度第 1 ?#23621;?#25910;年增率达 29%,并表示 EUV 投资是?#23548;?#22686;长的主要因素。

据悉,明年 EUV 需求预料更加旺盛,半导体设备厂前景向好。


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